MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 827-6160
Codice costruttore:: TK20E60W,S1VX(S
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-220, Su foro

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 827-6160
Codice costruttore:: TK20E60W,S1VX(S
Costruttore:: Toshiba

TK20E60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	20 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	TO-220
Serie	TK
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	155 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.7V
Dissipazione di potenza massima	165 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Carica gate tipica @ Vgs	48 nC a 10 V
Lunghezza	10.16mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.45mm
Altezza	15.1mm

MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-220, Su foro

MOSFET a canale N, serie TK2x, Toshiba

Link consigliati