MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-220, Su foro
- Codice RS:
- 827-6160
- Codice costruttore:
- TK20E60W,S1VX(S
- Costruttore:
- Toshiba
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Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 5
3,462 €
(IVA esclusa)
4,224 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 5 - 20 | 3,462 € | 17,31 € |
| 25 - 95 | 2,90 € | 14,50 € |
| 100 - 245 | 2,602 € | 13,01 € |
| 250 - 495 | 2,534 € | 12,67 € |
| 500 + | 2,468 € | 12,34 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 827-6160
- Codice costruttore:
- TK20E60W,S1VX(S
- Costruttore:
- Toshiba
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N, serie TK2x, Toshiba
Transistor MOSFET, Toshiba
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 20 A |
| Tensione massima drain source | 600 V |
| Serie | TK |
| Tipo di package | TO-220 |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 155 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 3.7V |
| Dissipazione di potenza massima | 165 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Materiale del transistor | Si |
| Larghezza | 4.45mm |
| Carica gate tipica @ Vgs | 48 nC a 10 V |
| Lunghezza | 10.16mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Altezza | 15.1mm |
- Codice RS:
- 827-6160
- Codice costruttore:
- TK20E60W,S1VX(S
- Costruttore:
- Toshiba