MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-220, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-6160
Codice costruttore:
TK20E60W,S1VX(S
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

20 A

Tensione massima drain source

600 V

Tipo di package

TO-220

Serie

TK

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

155 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3.7V

Dissipazione di potenza massima

165 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

10.16mm

Carica gate tipica @ Vgs

48 nC a 10 V

Larghezza

4.45mm

Materiale del transistor

Si

Altezza

15.1mm

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N, serie TK2x, Toshiba



Transistor MOSFET, Toshiba

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