MOSFET Infineon, canale N 150 V, 20 mΩ Miglioramento, 50 A, 5 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
170-2287
Codice costruttore:
IPD200N15N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD200N15N3 G

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.57mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.45mm

Lunghezza

10.36mm

Standard automobilistico

No

Infineon IPD200N15N3 G è 150V OptiMOS raggiunge una riduzione in R DS(on) del 40% e del 45% in figura di merito (FOM) rispetto al prossimo concorrente migliore. Questo drastico miglioramento apre nuove possibilità come il passaggio da contenitori con piombo a contenitori SMD o la sostituzione efficace di due parti vecchie con una parte OptiMOS.

Eccellenti prestazioni di commutazione

R DS(on) più basso al mondo

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