MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 150 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
168-6034
Codice costruttore:
IRLR3410TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

150mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Dissipazione di potenza massima Pd

79W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.39mm

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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