MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 155 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRLR3410TRPBF

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Codice RS:
830-3379
Codice Distrelec:
304-44-480
Codice costruttore:
IRLR3410TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

155mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

79W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.39mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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