MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 20 mΩ Miglioramento, 50 A, 5 Pin, TO-252, Superficie IPD200N15N3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-1945
Codice costruttore:
IPD200N15N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

IPD200N15N3 G

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.57mm

Lunghezza

10.36mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.45 mm

Standard automobilistico

No

Infineon IPD200N15N3 G è 150V OptiMOS raggiunge una riduzione in R DS(on) del 40% e del 45% in figura di merito (FOM) rispetto al prossimo concorrente migliore. Questo drastico miglioramento apre nuove possibilità come il passaggio da contenitori con piombo a contenitori SMD o la sostituzione efficace di due parti vecchie con una parte OptiMOS.

Eccellenti prestazioni di commutazione

R DS(on) più basso al mondo

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