MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 53 mΩ Miglioramento, 21 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD530N15N3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4381
Codice costruttore:
IPD530N15N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

53mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.7nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.35mm

Larghezza

6.42 mm

Lunghezza

6.65mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET Infineon OptiMOS 3 è ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona. È qualificato secondo JEDEC per l'applicazione di destinazione

È senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

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