MOSFET Infineon, canale N, 0,053 Ω, 21 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 214-4381
Codice costruttore:: IPD530N15N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 0,053 Ω, 21 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 214-4381
Codice costruttore:: IPD530N15N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet - IPD530N15N3GATMA1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	21 A
Tensione massima drain source	150 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	0,053 Ω
Tensione di soglia gate massima	4V
Numero di elementi per chip	1

MOSFET Infineon, canale N, 0,053 Ω, 21 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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