MOSFET Infineon, canale N 150 V, 53 mΩ Miglioramento, 21 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD530N15N3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4381
Codice costruttore:
IPD530N15N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

53mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.65mm

Altezza

2.35mm

Larghezza

6.42mm

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET Infineon OptiMOS 3 è ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona. È qualificato secondo JEDEC per l'applicazione di destinazione

È senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

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