MOSFET MagnaChip, canale N, 750 mΩ, 5,7 A, TO-220F, Su foro

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Codice RS:
170-3043
Codice costruttore:
MMF60R750PTH
Costruttore:
MagnaChip
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Marchio

MagnaChip

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

5,7 A

Tensione massima drain source

600 V

Tipo di package

TO-220F

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

750 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Dissipazione di potenza massima

27,1 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Lunghezza

10.71mm

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

4.93mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

14 nC a 10 V

Materiale del transistor

Si

Altezza

16.13mm

Tensione diretta del diodo

1.4V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
CN

MOSFET a super giunzione (SJ)


Questi MOSFET utilizzano la tecnologia a super giunzione di MagnaChip per fornire bassa resistenza in stato attivo e ridotta carica del gate. Sono altamente efficienti attraverso l'uso della tecnologia di accoppiamento della carica ottimizzata.

EMI ridotte
Bassa perdita di potenza attraverso commutazione ad alta velocità e bassa resistenza in stato attivo


Transistor MOSFET, MagnaChip

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