MOSFET MagnaChip, canale N, 750 mΩ, 5,7 A, TO-220F, Su foro

Marchio

MagnaChip

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

5,7 A

Tensione massima drain source

600 V

Tipo di package

TO-220F

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

750 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Dissipazione di potenza massima

27,1 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

14 nC a 10 V

Lunghezza

10.71mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Larghezza

4.93mm

Numero di elementi per chip

1

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1.4V

Altezza

16.13mm