MOSFET onsemi, canale N, 2 Ω, 560 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 170-3526
Codice costruttore:: NTR4003NT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 2 Ω, 560 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

0,053 €

(IVA esclusa)

0,065 €

(IVA inclusa)

26800 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Unità	Per unità	Per bobina*
3000 - 12000	0,053 €	159,00 €
15000 +	0,052 €	156,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 170-3526
Codice costruttore:: NTR4003NT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	560 mA
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.4V
Dissipazione di potenza massima	690 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.04mm
Carica gate tipica @ Vgs	1,15 nC @ 5 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.01mm

MOSFET onsemi, canale N, 2 Ω, 560 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza a canale N, 30V, ON Semiconductor

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