MOSFET onsemi, canale N, 2 Ω, 560 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 790-5283
Codice costruttore:: NTR4003NT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 2 Ω, 560 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per confezione*
100 - 400	0,096 €	9,60 €
500 - 900	0,091 €	9,10 €
1000 +	0,064 €	6,40 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 790-5283
Codice costruttore:: NTR4003NT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	560 mA
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.4V
Dissipazione di potenza massima	690 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.04mm
Carica gate tipica @ Vgs	1,15 nC @ 5 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.4mm
Altezza	1.01mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 2 Ω, 560 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza a canale N, 30V, ON Semiconductor

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