MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 2.5 mΩ Miglioramento, 176 A, 5 Pin, TO-263, Superficie IPB020N10N5ATMA1
- Codice RS:
- 171-1955
- Codice costruttore:
- IPB020N10N5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 5 unità*
32,64 €
(IVA esclusa)
39,82 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- 3150 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 6,528 € | 32,64 € |
| 25 - 95 | 5,554 € | 27,77 € |
| 100 - 245 | 4,808 € | 24,04 € |
| 250 - 495 | 4,562 € | 22,81 € |
| 500 + | 4,084 € | 20,42 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 171-1955
- Codice costruttore:
- IPB020N10N5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 176A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | IPB020N10N5 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 168nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.31mm | |
| Altezza | 4.57mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 176A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie IPB020N10N5 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 168nC | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.31mm | ||
Altezza 4.57mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il modello Infineon IPB020N10N5 è un MOSFET di potenza 100V OptiMOS in contenitore D2PAK con RDS(ON) inferiore del 22%. È stato progettato appositamente per la rettifica sincrona in blocchi di telecomunicazioni, tra cui OR-ing, hot swap e protezione della batteria, nonché per applicazioni di alimentazione per server.
Ottimizzato per la rettifica sincrona
Ideale per una frequenza di commutazione elevata
Riduzione della capacità di uscita fino al 44%
Link consigliati
- MOSFET Infineon 2.5 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 2.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 2.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPB120N08S403ATMA1
- MOSFET Infineon 2.5 mΩ TO-263, Superficie
- MOSFET Infineon 40.7 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie
- MOSFET Infineon 3.3 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie
- MOSFET Infineon 40.7 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie
- MOSFET Infineon 2.8 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie