MOSFET Infineon, canale N 100 V, 2.5 mΩ Miglioramento, 176 A, 5 Pin, TO-263, Superficie IPB020N10N5ATMA1
- Codice RS:
- 171-1955
- Codice costruttore:
- IPB020N10N5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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| 100 - 245 | 5,554 € | 27,77 € |
| 250 - 495 | 5,27 € | 26,35 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 171-1955
- Codice costruttore:
- IPB020N10N5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 176A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | IPB020N10N5 | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 168nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 11.05mm | |
| Altezza | 4.57mm | |
| Lunghezza | 10.31mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 176A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie IPB020N10N5 | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 168nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 11.05mm | ||
Altezza 4.57mm | ||
Lunghezza 10.31mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie IPB020N10N5, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 176 A - IPB020N10N5ATMA1
Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta corrente progettato per la conversione di potenza a montaggio superficiale e le attività di commutazione in ambienti termici impegnativi. Offre una bassa resistenza in stato attivo e una modesta tensione diretta per supportare un trasferimento efficiente dell'energia, mentre il suo pacchetto e il numero di pin si adattano alle strategie di assemblaggio automatizzato e di gestione del calore.
Caratteristiche e vantaggi:
• Rds(on) di 2,5 mΩ riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza
• Il valore nominale di drenaggio di 100 V consente l'uso di sistemi a media tensione
• La capacità di corrente continua di 176 A supporta la commutazione per carichi pesanti
• La carica di gate tipica di 168 nC ottimizza il controllo di accensione e spegnimento
• La dissipazione di potenza di 375 W consente un funzionamento ad alta potenza prolungata
• L'ampio intervallo di funzionamento da -55 °C a 175 °C tollera temperature estreme
• Il valore nominale di drenaggio di 100 V consente l'uso di sistemi a media tensione
• La capacità di corrente continua di 176 A supporta la commutazione per carichi pesanti
• La carica di gate tipica di 168 nC ottimizza il controllo di accensione e spegnimento
• La dissipazione di potenza di 375 W consente un funzionamento ad alta potenza prolungata
• L'ampio intervallo di funzionamento da -55 °C a 175 °C tollera temperature estreme
Applicazioni
• Adatto per gli stadi di potenza del convertitore buck sincrono
• Ideale per configurazioni a mezzo ponte con azionamento a motore
• Utilizzato con alimentatori per server e raddrizzatori per telecomunicazioni
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e la commutazione ad alta corrente
• Adatto per inverter industriali e sistemi ausiliari di trazione
• Ideale per configurazioni a mezzo ponte con azionamento a motore
• Utilizzato con alimentatori per server e raddrizzatori per telecomunicazioni
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e la commutazione ad alta corrente
• Adatto per inverter industriali e sistemi ausiliari di trazione
Quale metodo di montaggio richiede per l'assemblaggio del circuito stampato?
È fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-263 progettato per la saldatura a riflusso su circuiti stampati con messa a terra in rame per facilitare la conduzione termica.
In che modo la tolleranza della tensione di gate influisce sulla scelta del circuito di azionamento?
Il valore nominale gate-source consente ampiezze di azionamento fino a 20 V, pertanto i driver gate devono essere selezionati per evitare di superare questo limite fornendo al contempo Vgs sufficienti per bassi Rds(on).
Quali sono le considerazioni sulla gestione termica consigliate?
Data la capacità di dissipazione di 375 W, i progettisti devono utilizzare un'adeguata area di rame, vie termiche e dissipatore di calore per estrarre il calore dal contenitore durante il funzionamento continuo ad alta corrente.
Quanti collegamenti sono disponibili per l'integrazione del circuito?
Il dispositivo è dotato di cinque pin, consentendo l'interfaccia di alimentazione e gate convenzionale in layout multi-pin TO-263.
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