MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 2.5 mΩ Miglioramento, 176 A, 5 Pin, TO-263, Superficie IPB020N10N5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-1955
Codice costruttore:
IPB020N10N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

176A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

IPB020N10N5

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

168nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.31mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

11.05 mm

Altezza

4.57mm

Standard automobilistico

No

Il modello Infineon IPB020N10N5 è un MOSFET di potenza 100V OptiMOS in contenitore D2PAK con RDS(ON) inferiore del 22%. È stato progettato appositamente per la rettifica sincrona in blocchi di telecomunicazioni, tra cui OR-ing, hot swap e protezione della batteria, nonché per applicazioni di alimentazione per server.

Ottimizzato per la rettifica sincrona

Ideale per una frequenza di commutazione elevata

Riduzione della capacità di uscita fino al 44%

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