MOSFET Toshiba, canale N, 56 mΩ, 6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:
171-2400
Codice costruttore:
SSM3K335R,LF(B
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

6 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

SOT-23

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

56 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.5V

Tensione di soglia gate minima

1.3V

Dissipazione di potenza massima

2 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

±20 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

1.8mm

Lunghezza

2.9mm

Carica gate tipica @ Vgs

2,7 nC a 4,5 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Altezza

0.7mm

Tensione diretta del diodo

1.2V

Paese di origine:
TH
Tensione stadio pilota: 4,5-V.

Resistenza all'accensione drain-source bassa

RDS(ON) = 38 mΩ (max) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4,5 V)

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