MOSFET Toshiba, canale N, 42 mΩ, 6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-2540
Codice costruttore:
SSM3K333R
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

6 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

SOT-23

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

42 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.5V

Tensione di soglia gate minima

1.3V

Dissipazione di potenza massima

2 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

±20 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

2.9mm

Carica gate tipica @ Vgs

3,4 nC a 4,5 V

Larghezza

1.8mm

Altezza

0.8mm

Paese di origine:
TH
Unità da 4,5 V
Bassa resistenza all'accensione: RDS(ON) = 42 mΩ (max) (@VGS = 4,5 V)
RDS(ON) = 28 mΩ (max) (@VGS = 10 V)

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