MOSFET Toshiba, canale Tipo N 60 V, 3.2 mΩ, 200 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie T2N7002AK,LM(T

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
236-3585
Codice costruttore:
T2N7002AK,LM(T
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

200mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

T2N7002AK

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.2mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-0.87V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.27nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.8mm

Larghezza

2.9 mm

Lunghezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

Il transistore a effetto di campo Toshiba è costituito dal materiale di silicio e di tipo MOS È utilizzato principalmente in applicazioni di commutazione ad alta velocità.

Intervallo di temperatura di stoccaggio da −55 a 150 °C.

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