MOSFET Toshiba, canale N, 6,5 mΩ, 55 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Automobilistico
Regolatori switching di tensione
Azionamenti per motori
Bassa resistenza all'accensione drain-source: RDS(ON) = 5,5 mΩ (tip.) (VGS = 10 V)
Bassa corrente di dispersione: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 100 V)
Modalità potenziata: Vth = da 2 a 4 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)