1 MOSFET Toshiba Singolo, canale Tipo N 20 V, ESM, Superficie Miglioramento, 3 Pin SSM3K37MFV
- Codice RS:
- 171-2483
- Codice costruttore:
- SSM3K37MFV
- Costruttore:
- Toshiba
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- Codice RS:
- 171-2483
- Codice costruttore:
- SSM3K37MFV
- Costruttore:
- Toshiba
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Toshiba | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | ESM | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 10V | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 0.5mm | |
| Lunghezza | 0.8mm | |
| Larghezza | 1.2mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Toshiba | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package ESM | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10V | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 0.5mm | ||
Lunghezza 0.8mm | ||
Larghezza 1.2mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
- Paese di origine:
- TH
Azionamento da 1,5 V
Bassa resistenza all'accensione: Ron = 66 mΩ (max) (a VGS = 1,5 V)
Ron = 43 mΩ (max) (a VGS = 1,8 V)
Ron = 32 mΩ (max) (a VGS = 2,5 V)
Ron = 28 mΩ (max) (a VGS = 4,0 V)
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