Transistor ad effetto di campo Toshiba, canale Tipo N 20 V, 66 mΩ Miglioramento, 4.2 A, 6 Pin, UF, Superficie SSM6K403TU

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Codice RS:
171-2490
Codice costruttore:
SSM6K403TU
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo prodotto

Transistor ad effetto di campo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

SSM6K403TU

Tipo di package

UF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

66mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-0.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.7mm

Lunghezza

1.7mm

Larghezza

2mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
TH
Unità da 1,5V

Bassa resistenza all'accensione: Ron = 66 mΩ (max) (@VGS = 1,5 V)

Ron = 43 mΩ (max) (@VGS = 1,8 V)

Ron = 32 mΩ (max) (@VGS = 2,5 V)

Ron = 28 mΩ (max) (@VGS = 4 V)

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