MOSFET Toshiba, canale N, 66 mΩ, 4,2 A, UF6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 171-2490
Codice costruttore:: SSM6K403TU
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 66 mΩ, 4,2 A, UF6, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 171-2490
Codice costruttore:: SSM6K403TU
Costruttore:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4,2 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	UF6
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	66 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	0.35V
Dissipazione di potenza massima	500 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	2mm
Lunghezza	1.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	16,8 nC a 4 V
Numero di elementi per chip	1
Altezza	0.7mm

MOSFET Toshiba, canale N, 66 mΩ, 4,2 A, UF6, Montaggio superficiale

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