Transistor ad effetto di campo Toshiba, canale Tipo N 20 V, 66 mΩ Miglioramento, 4.2 A, 6 Pin, UF, Superficie

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Codice RS:
171-2405
Codice costruttore:
SSM6K403TU
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Transistor ad effetto di campo

Massima corrente di scarico continua Id

4.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

SSM6K403TU

Tipo di package

UF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

66mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.8nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10V

Tensione diretta Vf

-0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2mm

Lunghezza

1.7mm

Altezza

0.7mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
TH
Unità da 1,5V

Bassa resistenza all'accensione: Ron = 66 mΩ (max) (@VGS = 1,5 V)

Ron = 43 mΩ (max) (@VGS = 1,8 V)

Ron = 32 mΩ (max) (@VGS = 2,5 V)

Ron = 28 mΩ (max) (@VGS = 4 V)

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