MOSFET ROHM, canale N, 95 mΩ, 3 A, TSMT-3, Montaggio superficiale

Codice RS:: 171-9735
Codice costruttore:: RQ5H030TNTL
Costruttore:: ROHM

MOSFET ROHM, canale N, 95 mΩ, 3 A, TSMT-3, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,243 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,243 €	729,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 171-9735
Codice costruttore:: RQ5H030TNTL
Costruttore:: ROHM

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3 A
Tensione massima drain source	45 V
Tipo di package	TSMT-3
Serie	RQ5H030TN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	95 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Tensione di soglia gate minima	0.5V
Dissipazione di potenza massima	1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±12 V
Larghezza	1.8mm
Carica gate tipica @ Vgs	6,2 nC a 4,5 V
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Altezza	0.95mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET ROHM, canale N, 95 mΩ, 3 A, TSMT-3, Montaggio superficiale

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