MOSFET ROHM, canale N, 95 mΩ, 3 A, TSMT-3, Montaggio superficiale

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Codice RS:
171-9735
Codice costruttore:
RQ5H030TNTL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

3 A

Tensione massima drain source

45 V

Serie

RQ5H030TN

Tipo di package

TSMT-3

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

95 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

1.5V

Tensione di soglia gate minima

0.5V

Dissipazione di potenza massima

1 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

±12 V

Carica gate tipica @ Vgs

6,2 nC a 4,5 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

3mm

Larghezza

1.8mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1.2V

Altezza

0.95mm

Il modello RQ5H030TN è un MOSFET con diodo di protezione G-S e bassa commutazione in stato attivo, adatto per la commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Diodo di protezione incorporato G-S

Contenitore per montaggio superficiale di piccole dimensioni (TSMT3)

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