2 MOSFET ROHM Duale, canale N, 355 mΩ, 2 A 100 V, TSMT, Superficie Miglioramento, 8 Pin QH8K51TR

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Codice RS:
172-0345
Codice costruttore:
QH8K51TR
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TSMT

Serie

QH8K51

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

355mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Altezza

0.8mm

Larghezza

2.5mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.1mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il modello QH8K51 è un MOSFET con bassa resistenza in stato attivo, idoneo per le applicazioni di commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo.

Contenitore per montaggio superficiale di piccole dimensioni (TSMT8).

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