MOSFET ROHM, canale N, 355 mΩ, 2 A, TSMT-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 172-0345
Codice costruttore:: QH8K51TR
Costruttore:: ROHM

MOSFET ROHM, canale N, 355 mΩ, 2 A, TSMT-8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,434 €

(IVA esclusa)

0,529 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,434 €	1.302,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 172-0345
Codice costruttore:: QH8K51TR
Costruttore:: ROHM

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	QH8K51
Tipo di package	TSMT-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	355 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,5 W
Tensione massima gate source	±20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.1mm
Larghezza	2.5mm
Carica gate tipica @ Vgs	4,7 nC a 5 V
Numero di elementi per chip	2
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.8mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET ROHM, canale N, 355 mΩ, 2 A, TSMT-8, Montaggio superficiale

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