MOSFET ROHM, canale N, 355 mΩ, 2 A, TSMT-8, Montaggio superficiale

Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

2 A

Tensione massima drain source

100 V

Serie

QH8K51

Tipo di package

TSMT-8

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

355 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.5V

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

1,5 W

Tensione massima gate source

±20 V

Lunghezza

3.1mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

4,7 nC a 5 V

Larghezza

2.5mm

Numero di elementi per chip

2

Altezza

0.8mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1.2V