MOSFET ROHM, canale N, 0,0177 Ω, 8 A, TSMT-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:
235-2665
Codice costruttore:
QH8KB6TCR
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

8 A

Tensione massima drain source

40 V

Serie

QH8KB6

Tipo di package

TSMT-8

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

0,0177 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.5V

Numero di elementi per chip

2

Il MOSFET a doppio canale N ROHM che supporta tensione di tenuta 40V. Questo è progettato per apparecchiature di ingresso 24V, come ad esempio apparecchiature di automazione di fabbrica, e motori montati su stazioni di base. Questo prodotto è costituito da un MOSFET a canale N a bassa resistenza in stato attivo che è ridotto del 58%. Ciò contribuisce a un basso consumo energetico di vari dispositivi.

Contenitore per montaggio superficiale di piccole dimensioni

Placcatura senza piombo

Conformità RoHS

Senza alogeni

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