MOSFET ROHM, canale Tipo N 40 V, 17.7 mΩ Miglioramento, 8 A, 8 Pin, TSMT-8, Superficie QH8KB6TCR

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Codice RS:
235-2665
Codice costruttore:
QH8KB6TCR
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TSMT-8

Serie

QH8KB6

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.6nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.9mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

0.85mm

Lunghezza

3.1mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a doppio canale N ROHM che supporta tensione di tenuta 40V. Questo è progettato per apparecchiature di ingresso 24V, come ad esempio apparecchiature di automazione di fabbrica, e motori montati su stazioni di base. Questo prodotto è costituito da un MOSFET a canale N a bassa resistenza in stato attivo che è ridotto del 58%. Ciò contribuisce a un basso consumo energetico di vari dispositivi.

Contenitore per montaggio superficiale di piccole dimensioni

Placcatura senza piombo

Conformità RoHS

Senza alogeni

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