MOSFET ROHM, canale Tipo N 600 V, 320 mΩ Miglioramento, 24 A, 3 Pin, TO-263, Superficie R6024ENJTL

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Codice RS:
172-0479
Codice costruttore:
R6024ENJTL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

R6024ENJ

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

320mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

245W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.7mm

Lunghezza

10.4mm

Larghezza

9.2 mm

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza sono realizzati come dispositivi a bassa resistenza mediante tecnologie di miniaturizzazione utili per una vasta gamma di applicazioni. Ampia gamma che copre tipi compatti, tipi ad alta potenza e tipi complessi per soddisfare le diverse esigenze del mercato.

Bassa resistenza in stato attivo.

Elevata velocità di commutazione.

Tensione gate-sorgente (VGSS) garantita a ±20 V.

I circuiti di azionamento possono essere semplici.

Uso in parallelo facile.

Placcatura senza piombo

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