MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.6 mΩ Miglioramento, 320 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

1405,60 €

(IVA esclusa)

1715,20 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 800 unità in spedizione dal 06 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
800 +1,757 €1.405,60 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
222-4605
Codice costruttore:
AUIRF2804STRL7P
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

320A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

170nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

330W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Altezza

4.83mm

Larghezza

9.65 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono la temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, la velocità di commutazione rapida e il valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo migliorato. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.

Advanced Process Technology

Commutazione rapida a bassissima resistenza in stato attivo

Senza piombo, Conformità RoHS

Link consigliati