MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.6 mΩ Miglioramento, 320 A, 7 Pin, TO-263, Superficie AUIRF2804STRL7P
- Codice RS:
- 222-4606
- Codice costruttore:
- AUIRF2804STRL7P
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
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| 20 - 48 | 4,87 € | 9,74 € |
| 50 - 98 | 4,545 € | 9,09 € |
| 100 - 198 | 4,215 € | 8,43 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4606
- Codice costruttore:
- AUIRF2804STRL7P
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 320A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 170nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 330W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Larghezza | 9.65 mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 320A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 170nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 330W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Larghezza 9.65 mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono la temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, la velocità di commutazione rapida e il valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo migliorato. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.
Advanced Process Technology
Commutazione rapida a bassissima resistenza in stato attivo
Senza piombo, Conformità RoHS
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