MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, 3.6 mΩ Miglioramento, 180 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
911-0822
Codice costruttore:
IPB036N12N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

158nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.57mm

Larghezza

9.45mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.31mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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