MOSFET Infineon, canale N, 3,6 mΩ, 180 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

Codice RS:: 911-0822
Codice costruttore:: IPB036N12N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 3,6 mΩ, 180 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1000)**

2,151 €

(IVA esclusa)

2,624 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina**
1000 +	2,151 €	2.151,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 911-0822
Codice costruttore:: IPB036N12N3GATMA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	180 A
Tensione massima drain source	120 V
Tipo di package	D2PAK-7
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	7
Resistenza massima drain source	3,6 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	300 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	9.45mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	158 nC a 10 V
Lunghezza	10.31mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Altezza	4.57mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 3,6 mΩ, 180 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori

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