Singolo Modulo di potenza SiC onsemi, 28 A, TO-220, Foro passante, 3 Pin FFSP3065A
- Codice RS:
- 172-8971
- Codice costruttore:
- FFSP3065A
- Costruttore:
- onsemi
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| 100 - 248 | 6,75 € | 13,50 € |
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- Codice RS:
- 172-8971
- Codice costruttore:
- FFSP3065A
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Modulo di potenza SiC | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 28A | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione diretta Vf | 2.4V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 240W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.8 mm | |
| Altezza | 16.51mm | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Modulo di potenza SiC | ||
Massima corrente di scarico continua Id 28A | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione diretta Vf 2.4V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 240W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.8 mm | ||
Altezza 16.51mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 30 A, 650 V, D1, TO-220-2L
Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 30 A, 650 V, D1, TO-220-2L
Il diodo Schottky on Semiconductor al carburo di silicio (SiC) TO-220-2L è il prodotto più recente che utilizza una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità al silicio. Il diodo ha molte caratteristiche Advanced come le caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura e le eccellenti prestazioni termiche che lo rendono senza dubbio il semiconduttore di potenza di nuova generazione. Questo diodo offre molti vantaggi che includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più veloce, una maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni e costi di sistema ridotti.
Caratteristiche e vantaggi
• Avalanche con grado di protezione 180mJ
• Facilità di messa in parallelo
• elevata capacità di sovracorrente
• Nessun recupero inverso/nessun recupero in avanti
• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 175°C.
• coefficiente di temperatura Positivo
Applications
• caricabatteria EV
• Per impieghi generali
• potenza industriale
• PFC
• circuiti di commutazione dell'alimentazione
• SMPS
• inverter solare
• UPS
• Saldatura
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
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