MOSFET Vishay, canale N, 1,5 Ω, 960 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 177-7608
Codice costruttore:: IRFL210TRPBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 1,5 Ω, 960 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,567 €	1.417,50 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 177-7608
Codice costruttore:: IRFL210TRPBF
Costruttore:: Vishay

IRFL210, SiHFL210, Power MOSFET

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	960 mA
Tensione massima drain source	200 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	3,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	3.7mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	8,2 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	6.7mm
Altezza	1.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 1,5 Ω, 960 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor

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