MOSFET di potenza Vishay, canale N 200 V, 1.5 Ω Miglioramento, 960 mA, 4 Pin, SOT-223, Superficie IRFL210TRPBF

Codice RS:: 177-7608
Codice costruttore:: IRFL210TRPBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale N 200 V, 1.5 Ω Miglioramento, 960 mA, 4 Pin, SOT-223, Superficie IRFL210TRPBF

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Codice RS:: 177-7608
Codice costruttore:: IRFL210TRPBF
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	960mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	200V
	Serie	IRFL210
	Tipo di package	SOT-223
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.5Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	3.1W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	8.2nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	3.7mm
	Altezza	1.8mm
	Lunghezza	6.7mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 960mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V
	Serie IRFL210
	Tipo di package SOT-223
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.5Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 3.1W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.2nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 3.7mm
	Altezza 1.8mm
	Lunghezza 6.7mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

IRFL210, SiHFL210, Power MOSFET

MOSFET di potenza serie IRFL210 di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 200 V, dissipazione di potenza massima di 3,1 W - IRFL210TRPBF

Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in un'ampia gamma di ambienti ed è adatto a ruoli che richiedono correnti di drenaggio controllate e commutazione azionata da gate, con un pacchetto che supporta l'assemblaggio su circuito stampato saldato.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di drenaggio di 200 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• L'Rds(on) di 1.5 Ω riduce le perdite di conduzione nei circuiti a bassa corrente
• La carica di gate tipica da 8.2 nC supporta velocità di commutazione moderate
• Capacità di drenaggio continuo di 960 mA per un'erogazione di corrente sostenuta
• La tolleranza gate di ±20 V consente margini di azionamento gate robusti
• La conformità alla direttiva RoHS garantisce l'adesione a sostanze soggette a restrizioni per la produzione

Applicazioni

• Adatto per la commutazione sul lato secondario dell'alimentatore
• Ideale per la commutazione di segnale-stadio di controllo motore
• Utilizzato con piccoli driver di illuminazione e regolazione LED
• Può essere utilizzato per circuiti di interfaccia di controllo industriali
• Adatto per la gestione della batteria e la commutazione a basso consumo

Quale intervallo termico può sopportare il dispositivo durante il funzionamento?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con temperature industriali.

Quale imballaggio è necessario per l'assemblaggio su un circuito stampato?

Il componente viene fornito in un formato a montaggio superficiale SOT-223 adatto per processi di saldatura a riflusso standard.

Quanta potenza può essere dissipata durante il montaggio?

La dissipazione di potenza massima è di 3,1 W, il che indica le scelte di gestione termica e dissipazione termica.

Quanti pin presenta il componente e quale è il tipo di montaggio?

È dotato di quattro pin ed è progettato per il montaggio superficiale su una scheda a circuito stampato.