MOSFET Vishay, canale P, 500 mΩ, 11 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 178-0817
Codice costruttore:: IRF9640PBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 500 mΩ, 11 A, TO-220AB, Su foro

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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

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Unità	Per unità	Per Tubo**
50 - 50	1,036 €	51,80 €
100 - 200	0,984 €	49,20 €
250 +	0,932 €	46,60 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 178-0817
Codice costruttore:: IRF9640PBF
Costruttore:: Vishay

Datasheet

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	11 A
Tensione massima drain source	200 V
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	500 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	125 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	44 nC a 10 V
Lunghezza	10.41mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.7mm
Altezza	9.01mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 500 mΩ, 11 A, TO-220AB, Su foro

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MOSFET canale P, da 100V a 400V, Vishay Semiconductor

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