MOSFET Vishay, canale P, 500 mΩ, 11 A, TO-220AB, Su foro
- Codice RS:
- 541-1118
- Codice costruttore:
- IRF9640PBF
- Costruttore:
- Vishay
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Aggiunto
Prezzo per Unità
2,23 €
(IVA esclusa)
2,72 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità |
| 1 - 9 | 2,23 € |
| 10 - 49 | 1,86 € |
| 50 - 99 | 1,78 € |
| 100 - 249 | 1,68 € |
| 250 + | 1,56 € |
- Codice RS:
- 541-1118
- Codice costruttore:
- IRF9640PBF
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET canale P, da 100V a 400V, Vishay Semiconductor
I MOSFET di potenza di terza generazione Vishay offrono al progettista la migliore combinazione di commutazione rapida, design robusto del dispositivo, bassa resistenza in stato attivo e convenienza. Il contenitore TO-220AB è universalmente preferito per tutte le applicazioni commerciali-industriali a livelli di dissipazione di potenza fino a circa 50 W.
Valori nominali dinamici dV/dt
Facilità di collegamento in parallelo
Requisiti di azionamento semplici
Facilità di collegamento in parallelo
Requisiti di azionamento semplici
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | P |
| Corrente massima continuativa di drain | 11 A |
| Tensione massima drain source | 200 V |
| Tipo di package | TO-220AB |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 500 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate minima | 2V |
| Dissipazione di potenza massima | 125 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Carica gate tipica @ Vgs | 44 nC a 10 V |
| Lunghezza | 10.41mm |
| Larghezza | 4.7mm |
| Materiale del transistor | Si |
| Altezza | 9.01mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
- Codice RS:
- 541-1118
- Codice costruttore:
- IRF9640PBF
- Costruttore:
- Vishay
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