MOSFET Vishay, canale Tipo N 200 V, 1.5 Ω Miglioramento, 600 mA, 4 Pin, HVMDIP, Foro passante IRFD210PBF

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Codice RS:
178-0916
Codice costruttore:
IRFD210PBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

600mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

HVMDIP

Serie

IRFD

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.2nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Tensione diretta Vf

2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

3.37mm

Lunghezza

5mm

Larghezza

6.29 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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