MOSFET Vishay, canale Tipo N 200 V, 1.5 Ω Miglioramento, 600 mA, 4 Pin, HVMDIP, Foro passante IRFD210PBF

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Codice RS:
178-0916
Codice costruttore:
IRFD210PBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

600mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

HVMDIP

Serie

IRFD

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.2nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.29mm

Lunghezza

5mm

Altezza

3.37mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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