MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo N 250 V, 110 mΩ Miglioramento, 14.4 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

2712,00 €

(IVA esclusa)

3309,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 08 settembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,904 €2.712,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
178-3665
Codice costruttore:
Si7190ADP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay Siliconix

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

14.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

56.8W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.9nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.07mm

Larghezza

5 mm

Lunghezza

5.99mm

Standard automobilistico

No

Esente

Paese di origine:
CN
MOSFET di potenza TrenchFET®

Bassa resistenza termica contenitore PowerPAK®

Link consigliati