MOSFET Vishay Siliconix, canale N 250 V, 110 mΩ Miglioramento, 14.4 A, 8 Pin, SO-8, Superficie Si7190ADP-T1-RE3

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Codice RS:
178-3665
Codice costruttore:
Si7190ADP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

14.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.9nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

56.8W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.99mm

Altezza

1.07mm

Standard automobilistico

No

Esente

Paese di origine:
CN
MOSFET di potenza TrenchFET®

Bassa resistenza termica contenitore PowerPAK®

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