MOSFET Vishay Siliconix, canale N 30 V, 900 μΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiDR392DP-T1-GE3

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Codice RS:
178-3670
Codice costruttore:
SiDR392DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

900μΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

+20V, +6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

125nC

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.07mm

Lunghezza

5.99mm

Standard automobilistico

No

Esente

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

La funzione di raffreddamento del lato superiore fornisce un'ulteriore sede per trasferimento termico

Il rapporto Qg, Qgd, e Qgd/Qgs riduce la perdita di potenza relativa alla commutazione

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