MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo N 30 V, 900 μΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SO-8, Superficie
- Codice RS:
- 178-3934P
- Codice costruttore:
- SiDR392DP-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay Siliconix
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 95 | 2,828 € |
| 100 - 495 | 2,678 € |
| 500 - 995 | 2,518 € |
| 1000 + | 2,204 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-3934P
- Codice costruttore:
- SiDR392DP-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay Siliconix
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay Siliconix | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 900μΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 125nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 6 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 5 mm | |
| Lunghezza | 5.99mm | |
| Altezza | 1.07mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay Siliconix | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 900μΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 125nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 6 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 5 mm | ||
Lunghezza 5.99mm | ||
Altezza 1.07mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Esente
MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV
La funzione di raffreddamento del lato superiore fornisce un'ulteriore sede per trasferimento termico
Il rapporto Qg, Qgd, e Qgd/Qgs riduce la perdita di potenza relativa alla commutazione