MOSFET Vishay Siliconix, canale N 60 V, 4 mΩ Miglioramento, 60 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiR188DP-T1-RE3

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Codice RS:
178-3687
Codice costruttore:
SiR188DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.99mm

Altezza

1.07mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Esente

Paese di origine:
CN
MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

RDS molto bassa - figura di merito Qg (FOM)

Sintonizzati per la minima RDS - Qoss FOM

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