MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 1.75 mΩ Miglioramento, 165 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiR626ADP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7200
Codice costruttore:
SiR626ADP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

165A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SiR626ADP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.75mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

83nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.26mm

Altezza

6.25mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 60 V (D-S) è sintonizzato per la minima RDS - Qoss FOM.

Alimentazione contenitore PAK SO-8

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

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