MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 1.75 mΩ Miglioramento, 165 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiR626ADP-T1-RE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

17,06 €

(IVA esclusa)

20,81 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 18 gennaio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 401,706 €17,06 €
50 - 901,364 €13,64 €
100 - 2401,194 €11,94 €
250 - 4901,072 €10,72 €
500 +1,045 €10,45 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7200
Codice costruttore:
SiR626ADP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

165A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiR626ADP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.75mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

83nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.26mm

Larghezza

1.12 mm

Altezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 60 V (D-S) è sintonizzato per la minima RDS - Qoss FOM.

Alimentazione contenitore PAK SO-8

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Link consigliati