MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo N 40 V, 3 mΩ Miglioramento, 150 A, 8 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
178-3725
Codice costruttore:
SQM40022EM_GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-263

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

106nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

11.3mm

Larghezza

4.83 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
TW
MOSFET di potenza TrenchFET®

Contenitore con bassa resistenza termica

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