MOSFET Vishay Siliconix, canale N 40 V, 3 mΩ Miglioramento, 150 A, 8 Pin, TO-263, Superficie SQM40022EM_GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

920,80 €

(IVA esclusa)

1123,20 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In uscita dal catalogo
  • 800 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per bobina*
800 +1,151 €920,80 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
178-3725
Codice costruttore:
SQM40022EM_GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay Siliconix

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

106nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.83mm

Altezza

11.3mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
TW
MOSFET di potenza TrenchFET®

Contenitore con bassa resistenza termica

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.