MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo N 40 V, 3 mΩ Miglioramento, 150 A, 8 Pin, TO-263, Superficie SQM40022EM_GE3

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Codice RS:
178-3725
Codice costruttore:
SQM40022EM_GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

106nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Altezza

11.3mm

Larghezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
TW
MOSFET di potenza TrenchFET®

Contenitore con bassa resistenza termica

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