MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo N 40 V, 0.001 Ω Miglioramento, 250 A, 7 Pin, TO-263, Superficie SQM40016EM_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-3926
Codice costruttore:
SQM40016EM_GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

250A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-263

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.001Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

245nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.83 mm

Altezza

11.3mm

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
TW
MOSFET di potenza TrenchFET®

Contenitore con bassa resistenza termica

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