MOSFET Vishay Siliconix, canale N, 1 mΩ, 250 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 178-3723
Codice costruttore:: SQM40016EM_GE3
Costruttore:: Vishay Siliconix

MOSFET Vishay Siliconix, canale N, 1 mΩ, 250 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Aggiunto

Prezzo per Unità (Su Bobina da 800)

1,509 €

(IVA esclusa)

1,841 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Bobina*
800 +	1,509 €	1.207,20 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 178-3723
Codice costruttore:: SQM40016EM_GE3
Costruttore:: Vishay Siliconix

Documentazione Tecnica

Datasheet

Normative

Non applicabile

Paese di origine:: TW

Dettagli prodotto

MOSFET di potenza TrenchFET®
Contenitore con bassa resistenza termica

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	250 A
Tensione massima drain source	40 V
Serie	TrenchFET
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	7
Resistenza massima drain source	1 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	3.5V
Dissipazione di potenza massima	300 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Carica gate tipica @ Vgs	163 nC @ 10 V
Lunghezza	10.67mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.83mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Altezza	11.3mm
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.5V

Codice RS:: 178-3723
Codice costruttore:: SQM40016EM_GE3
Costruttore:: Vishay Siliconix

Datasheet

MOSFET Vishay Siliconix, canale N, 1 mΩ, 250 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Documentazione Tecnica

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