MOSFET Vishay Siliconix, canale N 150 V, 0.0395 Ω Miglioramento, 24.5 A, 8 Pin, SO-8L, Montaggio su circuito stampato

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-3903
Codice costruttore:
SQJ872EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

24.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

SO-8L

Serie

SQJ872EP

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0395Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

55W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

5.99mm

Larghezza

5mm

Altezza

1.07mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
CN

MOSFET serie SQJ872EP di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 150 V, corrente di drenaggio continua 24,5 A - SQJ872EP-T1_GE3


Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione di potenza progettato per applicazioni ad alta tensione e corrente elevata in ambienti difficili. Funziona come transistor di potenziamento a canale N per funzioni di commutazione e conversione di potenza. Il dispositivo è adatto per il montaggio su circuito stampato in un contenitore di piccole dimensioni ed è realizzato per soddisfare gli standard ambientali del settore.

Caratteristiche e vantaggi:


• Bassa resistenza in stato attivo di 0,0395 Ω che garantisce perdite di conduzione ridotte
• Capacità ad alta tensione di 150 V che consente un robusto headroom di commutazione
• Corrente nominale continua di 24,5 A per correnti di carico elevate
• Carica gate 14 nC che consente un controllo di commutazione efficiente
• La dissipazione di potenza di 55 W consente una gestione prolungata del carico termico
• L'ampia tolleranza del gate di ±20 V rende flessibile la progettazione del gate drive

Applicazioni


• Adatto per le fasi di potenza automobilistiche che richiedono la conformità AEC‐Q101
• Ideale per gli array di interruttori di azionamento motori industriali
• Utilizzato con convertitori CC-CC in sistemi ad alta tensione
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Utile nelle fasi di commutazione dell'inverter e dell'UPS front-end

Quale intervallo di temperatura può tollerare in installazioni difficili?


Funziona in un ampio intervallo da -55 °C a 175 °C, supportando condizioni termiche industriali e automobilistiche estreme.

Quale tipo di contenitore e approccio di montaggio utilizza per l'assemblaggio della scheda?


Il dispositivo è fornito in un contenitore SO‐8L progettato per il montaggio su circuito stampato per semplificare l'integrazione in assemblaggi compatti.

In che modo la sua tensione diretta influisce sulla progettazione del sistema?


La caduta di conduzione diretta è di 1,2 V in condizioni specifiche, che devono essere incluse nei calcoli della perdita di potenza e nelle valutazioni della gestione termica.

Il dispositivo è adatto per requisiti di produzione e ambientali regolamentati?


È conforme alle direttive RoHS, che indicano la restrizione di sostanze pericolose specifiche nei materiali dei componenti.

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