MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo N 150 V, 80 mΩ Miglioramento, 24.5 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SQJ872EP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-3903
Codice costruttore:
SQJ872EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

24.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

55W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.99mm

Larghezza

5 mm

Altezza

1.07mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
CN
MOSFET di potenza TrenchFET®

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