2 MOSFET Vishay Siliconix Duale, canale Tipo N, 40 mΩ, 6 A 40 V, PowerPAK 1212, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
178-3726
Codice costruttore:
SQS944ENW-T1_GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.6nC

Tensione diretta Vf

0.82V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

27.8W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Duale

Larghezza

3.15 mm

Altezza

1.07mm

Lunghezza

3.15mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
CN
MOSFET di potenza TrenchFET®

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