MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo P 20 V, 200 mΩ Miglioramento, 2.68 A, 6 Pin, SC-70, Superficie SQA401EEJ-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-3886
Codice costruttore:
SQA401EEJ-T1_GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

2.68A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SC-70

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

200mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

13.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.2nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

2.2mm

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.35mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
CN
MOSFET di potenza TrenchFET®

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