MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 250 mΩ Miglioramento, 12 A, 4 Pin, Power88, Superficie

Codice RS:: 178-4241
Codice costruttore:: FCMT250N65S3
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 250 mΩ Miglioramento, 12 A, 4 Pin, Power88, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 178-4241
Codice costruttore:: FCMT250N65S3
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	12A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	Power88
	Serie	FCMT
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	250mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	24nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	90W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	±30 V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	8mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	8 mm
	Altezza	1.05mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 12A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package Power88
	Serie FCMT
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 250mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 24nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 90W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±30 V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 8mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 8 mm
	Altezza 1.05mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: PH

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

700 V @ TJ = 150 oC

Leadless Ultra-thin SMD package

Kelvin contact

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 24 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 248 pF)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 210 mΩ

Moisture Sensitivity Level 1 guarantee

Internal Gate Resistance: 0.5 Ω

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

High power density

Low gate noise and switching loss

Low switching loss

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Computing

Telecommunication

Industrial

End Products:

Telecom / Server

Adapter

LED Lighting

MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 250 mΩ Miglioramento, 12 A, 4 Pin, Power88, Superficie

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