MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 3.7 mΩ Miglioramento, 123 A, 5 Pin, DFN, Superficie NTMFS6H818NT1G

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MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 3.7 mΩ Miglioramento, 123 A, 5 Pin, DFN, Superficie
Codice RS
178-4316

Unità (Su Bobina da 1500)

0,833 €

(IVA esclusa)

1,016 €

(IVA inclusa)

Codice RS:
178-4431
Codice costruttore:
NTMFS6H818NT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

123A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

DFN

Serie

NTMFS6H818N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

3.8W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.1 mm

Lunghezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.05mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche.

Caratteristiche

Ingombro ridotto (5x6 mm)

Bassa resistenza RDS(on)

QG e capacità bassi

Vantaggi

Design compatto

Riduzione al minimo delle perdite di conduzione

Riduce le perdite di driver

Applicazioni

Alimentatori switching

Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-

bridge, ecc.)

Sistemi da 48 V

Gestione e protezione delle batterie

Prodotti finali

Controllo motori

Convertitore CC/CC

Interruttore di carico

Batterie e ESS

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