MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 3.7 mΩ Miglioramento, 123 A, 5 Pin, DFN, Superficie NVMFS6H818NT1G

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Codice RS:
178-4464
Codice costruttore:
NVMFS6H818NT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

123A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

NVMFS6H818N

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46nC

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.05mm

Larghezza

6.1 mm

Lunghezza

5.1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Opzione con fiancata bagnabile disponibile per una migliore ispezione visiva. Adatto per applicazioni automobilistiche.

Caratteristiche

Ingombro ridotto (5x6 mm)

Bassa resistenza RDS(on)

QG e capacità bassi

NVMFS6H818NWF - Opzione con fiancata bagnabile

Capacità PPAP

Vantaggi

Design compatto

Riduzione al minimo delle perdite di conduzione

Riduce le perdite di driver

Ispezione visiva migliorata

Applicazioni

Alimentatori switching

Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)

Sistemi da 48 V

Prodotti finali

Controllo motori

Convertitore CC/CC

Interruttore di carico

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