MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 65 mΩ Miglioramento, 46 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante NTHL065N65S3F

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MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 65 mΩ Miglioramento, 46 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
Codice RS
178-4255

Cadauno (in una stecca da 30)

4,956 €

(IVA esclusa)

6,046 €

(IVA inclusa)

Codice RS:
178-4468
Codice costruttore:
NTHL065N65S3F
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

46A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

NTHL

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

98nC

Dissipazione di potenza massima Pd

337W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

15.87mm

Larghezza

4.82 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

20.82mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features:

700V@TJ=150

Ultra Low Gate Charge (Typ.Qg=98nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ.Coss (eff.)=876pF)

Excellent body diode performance (lowQrr,robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on)=54mΩ

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift fullbridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products:

Telecom power

Server power

EV charger

Solar/UPS

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