MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 65 mΩ Miglioramento, 46 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 178-4255
- Codice costruttore:
- NTHL065N65S3F
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 tubo da 30 unità*
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-4255
- Codice costruttore:
- NTHL065N65S3F
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 46A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | NTHL | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 65mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 337W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 98nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 20.82mm | |
| Larghezza | 4.82 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 46A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie NTHL | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 65mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 337W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 98nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 20.82mm | ||
Larghezza 4.82 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features:
700V@TJ=150
Ultra Low Gate Charge (Typ.Qg=98nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ.Coss (eff.)=876pF)
Excellent body diode performance (lowQrr,robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on)=54mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift fullbridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products:
Telecom power
Server power
EV charger
Solar/UPS