2 MOSFET di potenza onsemi Duale, canale Tipo N, 6.5 mΩ, 68 A 60 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin NVMFD5C668NLT1G

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Codice RS:
178-4503
Codice costruttore:
NVMFD5C668NLT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

68A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

175°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

57.5W

Tensione diretta Vf

0.85V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.8nC

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Lunghezza

5.1mm

Larghezza

6.1 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.05mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

NVMFD5C668NLWF - Opzione con fiancata bagnabile per una migliore ispezione visiva

Capacità PPAP

Questi dispositivi sono senza piombo

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