2 MOSFET di potenza onsemi Duale, canale Tipo N, 6.5 mΩ, 68 A 60 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin NVMFD5C668NLT1G

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2 MOSFET di potenza onsemi Duale, canale Tipo N, 6.5 mΩ, 68 A 60 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin
Codice RS
178-4301

Unità (Su Bobina da 1500)

1.683,00 €

(IVA esclusa)

2.053,26 €

(IVA inclusa)

Codice RS:
178-4503
Codice costruttore:
NVMFD5C668NLT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

68A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

57.5W

Tensione diretta Vf

0.85V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.8nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Duale

Lunghezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.1mm

Altezza

1.05mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

NVMFD5C668NLWF - Opzione con fiancata bagnabile per una migliore ispezione visiva

Capacità PPAP

Questi dispositivi sono senza piombo

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