MOSFET onsemi, canale N, 3,1 mΩ, 147 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Questo MOSFET MV canale N è prodotto utilizzando il processo avanzato PowerTrench di ON Semiconductor che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

Caratteristiche
Tecnologia MOSFET a gate schermato
Max. rDS(on) = 3,1 mΩ a VGS = 10 V, ID = 56A
Max. rDS(on) = 8,1 mΩ a VGS = 6 V, ID = 28 A
Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di MOSFET
Basso rumore di commutazione/livello di EMI
Struttura robusta del contenitore MSL1


Applicazioni
MOSFET c.c.-c.c. primario
Raddrizzatore sincrono in c.c.-c.c. e c.a.-c.c.
Azionamenti a motore
Inverter solari
Interruttore di distribuzione di carico
Prodotti finali
Adattatori di rete
Alimentatori c.c.-c.c.
Utensili elettrici
Droni
Batterie