MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

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Codice RS:
178-7480
Codice costruttore:
BSC010NE2LSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

96W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.1mm

Larghezza

5.35 mm

Standard automobilistico

No

Esente

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™


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Canale N - modalità potenziata

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

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Temperatura d'esercizio: 175 °C

Contenitore verde (senza piombo)

Rds(on) ultra bassa

Transistor MOSFET, Infineon


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