MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC010N04LSATMA1

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Codice RS:
273-2625
Codice costruttore:
BSC010N04LSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS 5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

95nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

139W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.35 mm

Lunghezza

6.1mm

Standard automobilistico

No

Quello di Infineon è un MOSFET di potenza a canale N da 40 V. Questo MOSFET è ottimizzato per il raddrizzamento sincrono e presenta una maggiore affidabilità dei giunti a saldare grazie all'interconnessione allargata della sorgente. È qualificato secondo JEDEC per applicazioni target.

Senza alogeni

Conforme a RoHS

Placcatura senza piombo

Resistenza di accensione molto bassa

Eccellente resistenza termica

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